电力电子器件;章节目录;引言;2.1电力电子器件概述;2.1.1电力电子器件的概念和特征;2.1.1电力电子器件的概念和特征;2.1.1电力电子器件的概念和特征;2.1.2应用电力电子器件的系统组成;2.1.3电力电子器件的分类;2.1.3电力电子器件的分类;2.1.3电力电子器件的分类;2.1.4本章内容和学习要点;2.2不可控器件——电力二极管;2.2不可控器件——电力二极管·引言;A;2.2.1PN结与电力二极管的工作原理;2.2.1PN结与电力二极管的工作原理;2.2.2电力二极管的基本特性;;2.2.2电力二极管的基本特性;2.2.3电力二极管的主要参数;2.2.3电力二极管的主要参数;2.2.4电力二极管的主要类型;2.2.4电力二极管的主要类型;2.2.4电力二极管的主要类型;2.3半控型器件——晶闸管;2.3半控器件—晶闸管·引言;2.3.1晶闸管的结构与工作原理;;;2.3.1晶闸管的结构与工作原理;2.3.2晶闸管的基本特性;2.3.2晶闸管的基本特性;2.3.2晶闸管的基本特性;2.3.2晶闸管的基本特性;2.3.2晶闸管的基本特性;2.3.3晶闸管的主要参数;2.3.3晶闸管的主要参数;2.3.3晶闸管的主要参数;2.3.3晶闸管的主要参数;2.3.4晶闸管的派生器件;2.3.4晶闸管的派生器件;2.3.4晶闸管的派生器件;2.3.4晶闸管的派生器件;2.4典型全控型器件;2.4典型全控型器件引言;2.4.1门极可关断晶闸管;2.4.1门极可关断晶闸管;2.4.1门极可关断晶闸管;2.4.1门极可关断晶闸管;2.4.1门极可关断晶闸管;2.4.2电力晶体管;◆GTR的结构
?采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构，并采用集
成电路工艺将许多这种单元并联而成。
?GTR是由三层半导体（分别引出集电极、基极和发射极）形成
的两个PN结（集电结和发射结）构成，多采用NPN结构。
;;2.4.2电力晶体管;;2.4.2电力晶体管;2.4.2电力晶体管;2.4.2电力晶体管;2.4.3电力场效应晶体管;2.4.3电力场效应晶体管;2.4.3电力场效应晶体管;2.4.3电力场效应晶体管;;?输出特性
√是MOSFET的漏极伏安特性。
√截止区（对应于GTR的截止区）、饱和区（对应于GTR的放大区）、非饱和区（对应于GTR的饱和区）三个区域，饱和是指漏源电压增加时漏极电流不再增加，非饱和是指漏源电压增加时漏极电流相应增加。
√工作在??关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。
?本身结构所致，漏极和源极之间形成了一个与MOSFET反向并联的寄生二极管。
?通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。;;2.4.3电力场效应晶体管;2.4.3电力场效应晶体管;2.4.4绝缘栅双极晶体管;2.4.4绝缘栅双极晶体管;2.4.4绝缘栅双极晶体管;2.4.4绝缘栅双极晶体管;2.4.4绝缘栅双极晶体管;2.4.4绝缘栅双极晶体管;2.4.4绝缘栅双极晶体管;2.4.4绝缘栅双极晶体管;2.4.4绝缘栅双极晶体管;2.4.4绝缘栅双极晶体管;2.5其他全控型器件;2.5.1MOS控制晶闸管MCT;2.5.2静电感应晶体管SIT;2.5.3静电感应晶闸管SITH;2.5.4集成门极换流晶闸管IGCT;2.6功率集成电路与集成电力电子模块;2.6功率集成电路与集成电力电子模块;2.6功率集成电路与集成电力电子模块;2.6功率集成电路与集成电力电子模块;2.7基于宽禁带材料的电力电子器件;2.7基于宽禁带材料的电力电子器件;本章小结;本章小结;本章小结