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MSP430片上Flash存储器编程
1.Flash存储器概述
在MSP430单片机中，Flash存储器是一种非易失性存储器，用于存储程序代码和常量数据。与传统的EPROM相比，Flash存储器具有更快的写入速度和更高的擦除/写入寿命。MSP430的Flash存储器通常分为两个部分：主存储器（MainMemory）和信息存储器（InformationMemory）。主存储器用于存储用户程序和数据，而信息存储器则用于存储配置信息和用户自定义数据。
1.1Flash存储器的结构
MSP430的Flash存储器结构分为多个段（Segment），每个段又分为多个页（Page）。每个页的大小通常为256字节，而每个段的大小则取决于具体的MSP430型号。例如，MSP430G2553芯片的主存储器分为16个段，每个段包含16个页，总容量为16KB。
1.2Flash存储器的操作
Flash存储器支持读取、擦除和编程操作。读取操作与普通RAM相同，但擦除和编程操作需要特殊的指令和序列。擦除操作通常以段为单位进行，而编程操作则以页为单位进行。
2.Flash存储器编程的基本步骤
在MSP430中，对Flash存储器进行编程需要遵循以下基本步骤：
解锁Flash存储器：为了防止意外写入或擦除，Flash存储器在默认情况下是锁定的。需要通过特定的解锁序列来解锁。
擦除Flash存储器：在编程之前，需要先擦除目标段。
编程Flash存储器：将数据写入目标地址。
锁定Flash存储器：编程完成后，重新锁定Flash存储器以保护数据。
2.1解锁Flash存储器
解锁Flash存储器需要执行特定的解锁序列。以下是一个解锁Flash存储器的示例代码：
//解锁Flash存储器
voidunlockFlash(){
//写入解锁密钥
FCTL2=FWKEY+FSSEL_1+FN0;//选择时钟源和频率
FCTL3=FWKEY;//写入解锁密钥
}
2.2擦除Flash存储器
擦除Flash存储器需要指定目标段的地址。以下是一个擦除特定段的示例代码：
//擦除指定段的Flash存储器
voideraseSegment(unsignedintsegmentAddress){
//解锁Flash存储器
unlockFlash();
//擦除段
FCTL1=ERASE+FWKEY;//设置擦除模式
*((unsignedint*)segmentAddress)=0x0000;//擦除段
FCTL1=0;//取消擦除模式
//重新锁定Flash存储器
FCTL3=FWKEY+LOCK;//重新锁定
}
2.3编程Flash存储器
编程Flash存储器需要将数据写入目标地址。以下是一个将数据写入特定页的示例代码：
//编程指定页的Flash存储器
voidprogramPage(unsignedintpageAddress,constunsignedchar*data,unsignedintlength){
//解锁Flash存储器
unlockFlash();
//设置编程模式
FCTL1=WRT+FWKEY;//设置编程模式
//写入数据
unsignedint*flashPtr=(unsignedint*)pageAddress;
for(unsignedinti=0;ilength;i+=2){
*flashPtr=(data[i+1]8)|data[i];//写入16位数据
flashPtr++;
}
//重新锁定Flash存储器
FCTL3=FWKEY+LOCK;//重新锁定
}
2.4锁定Flash存储器
编程完成后，需要重新锁定Flash存储器以保护数据。以下是一个锁定Flash存储器的示例代码：
//锁定Flash存储器
voidlockFlash(){
FCTL3=FWKEY+LOCK;//重新锁定
}
3.Flash存储器编程的注意事项
在对MSP430的Flash存储器进行编程时，需要注意以下几点：
擦除操作：在编程之前，必须先擦除目标段。擦除操作会将