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文档摘要

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氧化物半导体纳米线肖特基势垒调控及气敏检测的深度研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代半导体技术领域，氧化物半导体纳米线以其独特的物理化学性质崭露头角，成为研究热点之一。纳米线作为一种具有高纵横比的一维纳米材料，其直径通常在纳米尺度，长度却可达微米甚至毫米量级，这种特殊的结构赋予了它诸多优异特性。氧化物半导体纳米线具备高比表面积，使得其表面原子占比较大，表面活性位点丰富，这为其在气敏检测等领域的应用提供了得天独厚的条件。其电学、光学以及化学稳定性等方面的特性，也使其成为构建高性能半导体器件的理想材料。

肖特基势垒则是金属与半导体接触时在界面处形成的具有整流特性的界面势垒，在半导体器件