行业标准《高纯钼粉》编制说明
（送审稿）
一、工作简况
1、任务来源
1.1根据2024年8月14日，工业和信息化部办公厅工信厅科函〔2024〕317号关于印发《2024年
第三批行业标准制修订和外文版项目计划》的要求，有色金属行业标准《高纯钼粉》编制项目由全国有
色金属标准化技术委员会归口，计划编号：2024-0927T-YS，项目周期为12个月，完成年限为2025年
8月，由金堆城钼业股份有限公司、成都虹波实业股份有限公司、安泰天龙钨钼科技有限公司、洛阳科
威钨钼有限公司、常州苏晶电子材料有限公司、山东格美钨钼材料股份有限公司、有研亿金新材料有限
公司、有研工程技术研究院有限公司等负责起草。
1.2项目编制组单位变化情况
依据标准编制工作任务量，调整之后，本文件起草单位为金堆城钼业股份有限公司、成都虹波实
业股份有限公司、有研亿金新材料有限公司、西安建筑科技大学、有研工程技术研究院有限公司、安泰
天龙钨钼科技有限公司、辽宁宏拓新材料科技有限公司、西部鑫兴稀贵金属有限公司等。
2、背景
高纯钼粉广泛应用于耐高压大电流半导体器件的钼引线、声像设备、照相机零件、高密度集成电路
中的门电极靶材及微电子等领域。随着中国半导体国产化加速、新能源及军工材料需求增长，4N级钼
粉市场进入高速增长期。2023年中国4N级高纯钼粉市场规模约20-25亿元，占全球30%左右，预计
2025年将突破40亿元。2023年中国4N5级高纯钼粉市场规模约5-8亿元，预计2025年将突破12-18
亿元。与高纯钼粉市场所呈现的飞速发展不相匹配的是无统一的标准，各企业自定技术指标，缺乏有效
指引和标准化监督。通过建立《高纯钼粉》行业标准，从而规范高纯钼粉市场，提升国产高端钼粉竞争
力、推动技术升级，促进产业集中化、保障半导体、微电子技术等高科技领域供应链安全。
高纯钼粉与GB/T3461中普通钼粉比，具有以下区别：
制备工艺方面：晶体中散布一定的杂质原子，因其与晶体原子的半径不同，将导致晶格产生微小的
畸变能和很大的位形熵，因此，从热力学角度考虑，在一定温度下，晶体中杂质原子的存在将有利于体
系的稳定，即所有材料都有一定的“晶体极限纯度”。以钼粉为例，当纯度达到99.95%时，要进一步剔
除77个固态杂质元素和H、C、N、O、S等5个气体杂质元素，不仅需要从原料、火法冶金、湿法冶
金、粉末冶金的整个工艺流程增加多道额外的化学深度除杂工艺，如离子交换、萃取等化工分离操作单
元将制备高纯钼粉的原料予以深度净化，制备出高纯钼化合物，而且需要严格控制整个工艺流程中与物
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料接触的工装、设备材质和生产环境，避免钼粉体系的破坏。相对而言，GB/T3461《钼粉》中规定的
普通钼粉制备工艺相对简单、参数控制相对宽松，通过常规的湿法冶金和粉末冶金技术和常规的工装、
设备即可实现普通钼粉的生产。
产品应用方面：由于钼粉中杂质元素的数量与分布直接影响着钼制品的缺陷数量和状态，进而影响
制品的整体质量、后续加工性能和使用效果，因此，高纯钼粉在新型高分辨率平面显示器的基础靶材、
芯片、耐高压大电流半导体器件的钼引线等对杂质含量有苛刻要求的领域具有传统钼粉无法比拟的优
势。以半导体领域用钼及钼合金靶材为例，由于杂质元素与钼晶体结构和晶体参数不同，其富集或偏聚
会直接导致靶材局部组织的异常，进而引起溅射薄膜的局部出现该杂质原子的特有显微组织，从而溅射
薄膜的表面形貌与粗糙度、附着力、热导率、电导率、热应力、耐腐蚀性、热稳定性等物理特性出现局
部异常，因此，不同含量的杂质元素对靶材产品的质量会产生直接的影响。更为严重的是，杂质元素隐
藏在钼及钼合金靶材中产生的组织缺陷往往过少、过小，很容易在检测过程中遗漏，直到溅射薄膜出现
问题已为时已晚，往往造成钼及钼合金靶材价值数百倍的经济损失。所以，严格要求高纯钼粉的杂质含
量，对于钼及钼合金后续产品的质量保证，具有非常重要的现实意义。
钼靶材广泛应用于薄膜半导体管–液晶显示器（TFT–LCD）、平面显示、太阳能电池等领域，其中
高纯钼粉部分杂质元素对后端电子元器件性能稳定性影响较大，在电子行业，由于碱金属离子（Na+、
K+）易在绝缘层中成为可移动性离子，降低元器件性能，影响平面显示的分辨率，元素钾与钠总量不
得超过30ppm；U、Th等元素会释