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文件名称：《相变存储器的简介综述》960字.docx
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更新时间：2025-06-21
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相变存储器的简介综述
上世纪60年代，由StanfordR.Ovshinsky发现在很多半导体材料中都存在一种现象：在电场作用下，这些材料可以在高阻态和低阻态之间进行比较快速的可逆转化。[1]他的这一发现标志着相变存储器的问世。然而在此之后相当长的一段时间之内，相变存储器并没有引起社会的重视，学者们对相变存储器的研究较少。直至20世纪末，半导体工艺成熟了很多，工艺节点