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文档摘要

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Si掺杂HfO?铁电薄膜可靠性的多维度解析与提升策略

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代电子技术的飞速发展，电子器件正朝着小型化、高性能化和多功能化的方向不断迈进。在这一发展趋势中，铁电薄膜作为一种关键的功能材料，因其独特的铁电特性，如自发极化、电滞回线等，在众多电子器件领域展现出了巨大的应用潜力，成为了学术界和工业界的研究热点。

Si掺杂HfO?铁电薄膜，作为铁电薄膜材料家族中的重要成员，凭借其与Si基互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺的良好兼容性，在现代集成电路中具有举足轻重的地位。在传统的CMOS技术逐渐逼近物理极限的当下，Si掺杂HfO?铁电薄膜为集成电路的进