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文件名称:多尺度模拟:解锁二维材料表面功能化与设计的密钥.docx
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更新时间:2025-06-22
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文档摘要

多尺度模拟:解锁二维材料表面功能化与设计的密钥

一、引言

1.1研究背景与意义

在材料科学的前沿领域中,二维材料以其独特的原子结构和卓越的物理化学性质,成为众多领域研究的焦点。自2004年石墨烯被成功剥离以来,二维材料家族不断壮大,包括过渡金属硫化物(如MoS?、WS?)、六方氮化硼(h-BN)、黑磷等,它们展现出了在电子学、能源、催化、传感器等领域的巨大应用潜力。

在电子学领域,随着硅基半导体晶体管尺寸逐渐逼近物理极限,以MoS?为代表的二维半导体材料因其高迁移率、超薄厚度(小于1nm)和平面易集成等特点,被视为延续摩尔定律的理想候选材料之一。多层MoS?相较于单层,具有