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化合物半导体高速集成电路

.1．化合物半导体是由两种或多种元素组成的混晶构造半导体。目前应用最广、进展最快

的化合物半导体材料是Ⅲ-Ⅴ族化合物。

.2．化合物半导体集成电路的主要特征是超高速、低功耗、多功能、抗辐射。具体表现在以下几个方面：〔1〕化合物半导体材料具有很高的电子迁移率和电子漂移速度。〔2〕GaAs材料的肖特基势垒特性比Si优越。〔3〕GaAs的本征电阻率可达109，比硅高四个数量级，为半绝缘衬底。4〕禁带宽度大，可以在Si器件难以工作的高温领域工作。GaAs为直接带隙半导体，可以发光。也就是说它可以实现光电集成。〔6〕抗辐射力量强。

.3．高性能化合物半导体材料制备