基本信息
文件名称:磁随机存储器辐射效应及加固技术:机理、研究与展望.docx
文件大小:47.05 KB
总页数:25 页
更新时间:2025-06-23
总字数:约3.35万字
文档摘要
磁随机存储器辐射效应及加固技术:机理、研究与展望
一、引言
1.1研究背景与意义
在现代电子技术飞速发展的今天,存储器作为信息存储与处理的关键部件,其性能直接影响着各类电子系统的运行效率和可靠性。从个人电脑、智能手机等消费电子产品,到航空航天、军事国防等高端领域,存储器无处不在,扮演着不可或缺的角色。随着半导体工艺特征尺寸的不断缩小,传统的基于互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的缓存和主存遭遇了性能瓶颈。在功耗方面,由于CMOS晶体管的漏电流随着工艺尺寸的减小而增大,SRAM和DRAM的静态功耗日益加剧;在速度方面,处理器与存储器的互连延迟限制了系统的主频。
磁随机存储器(Ma