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文档摘要

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非晶IGZO薄膜晶体管光照特性的多维度解析与应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子领域中，非晶铟镓锌氧化物（IGZO）薄膜晶体管（Thin-FilmTransistor，TFT）凭借其独特的优势，占据着极为关键的地位。自2004年日本学者细野秀雄发明非晶IGZOTFT以来，因其具备诸多优异性能，受到科研工作者和产业界的广泛关注。在显示应用领域，与传统的氢化非晶硅薄膜晶体管相比，IGZOTFT展现出显著优势。氢化非晶硅薄膜晶体管迁移率通常低于1cm^{2}/(V??s)，且在力和光照下器件性能不稳定；而IGZOTFT的迁移率较高，一般可达10cm^