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闪存和EEPROM操作
在单片机应用中，闪存（FlashMemory）和EEPROM（ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory）是两种重要的非易失性存储器。它们用于存储程序代码、配置数据和用户数据。PIC18系列单片机提供了对闪存和EEPROM的操作功能，使得开发者可以灵活地进行数据存储和读取。本节将详细介绍如何在PIC18系列单片机中操作闪存和EEPROM。
闪存操作
闪存主要用于存储程序代码，但在某些情况下，也可以用于存储少量的数据。PIC18系列单片机的闪存支持读取、编程和擦除操作。
闪存读取
闪存的读取操作相对简单，可以直接通过程序访问闪存中的数据。PIC18系列单片机的闪存地址空间与程序地址空间是分开的，但可以通过特定的指令进行访问。
示例代码：读取闪存中的数据
#includepic18f4550.h
//定义闪存地址
#defineFLASH_START_ADDR0x000000
#defineFLASH_END_ADDR0x003FFF
//读取闪存中的数据
unsignedcharreadFlashData(unsignedintaddress){
unsignedchardata;
//确保地址在有效范围内
if(addressFLASH_START_ADDR||addressFLASH_END_ADDR){
return0xFF;//返回无效数据
}
//读取数据
TBLPTR=address;//设置表格指针
data=TABLAT;//读取数据
returndata;
}
voidmain(void){
unsignedchardata;
unsignedintaddress=0x000010;//示例地址
data=readFlashData(address);//读取闪存数据
//打印数据（假设使用UART）
UART1_Write(data);
while(1){
//主循环
}
}
闪存编程
闪存编程是指将数据写入闪存的过程。PIC18系列单片机的闪存编程需要遵循特定的步骤，以确保数据的正确写入。
编程步骤
禁用中断：在编程过程中，中断可能会干扰操作，因此需要禁用中断。
设置编程控制寄存器：通过设置特定的寄存器来控制编程操作。
加载数据：将要写入的数据加载到指定的寄存器中。
执行编程操作：通过特定的指令执行编程操作。
检查编程状态：确保编程操作成功完成。
恢复中断：重新启用中断。
示例代码：写入闪存中的数据
#includepic18f4550.h
#includedelays.h
//定义闪存地址
#defineFLASH_START_ADDR0x000000
#defineFLASH_END_ADDR0x003FFF
//闪存编程函数
voidprogramFlashData(unsignedintaddress,unsignedchardata){
//确保地址在有效范围内
if(addressFLASH_START_ADDR||addressFLASH_END_ADDR){
return;
}
//禁用中断
INTCON=0;
//设置编程控制寄存器
EECON1bits.EEPGD=1;//选择闪存
EECON1bits.CFGS=0;//选择数据闪存
EECON1bits.WREN=1;//使能写操作
//加载数据
TBLPTR=address;//设置表格指针
TABLAT=data;//加载数据
//执行编程操作
EECON1bits.WR=1;//开始写操作
//等待编程完成
while(EECON1bits.WR==1);
//检查编程状态
if(EECON1bits.WRERR==1){
//写操作失败
EECON1bits.WRERR=0