2023年6月电力电子技术习题与答案（附解析）
一、单选题（共20题，每题1分，共20分）
1.正弦波脉冲宽度调制英文缩写是（）。
A、PWM
B、PAM
C、SPWM
D、SPAM
正确答案：C
2.将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是()
A、有源逆变器
B、A/D变换器
C、D/A变换器
D、无源逆变器
正确答案：D
3.对于升降压直流斩波器，当其输出电压小于其电源电压时，有（）。
A、α无法确定
B、0.5α1
C、0α0.5
D、以上说法均是错误的
正确答案：C
答案解析：当升降压直流斩波器输出电压小于电源电压时，占空比α的范围是0α0.5。升降压斩波器输出电压公式为\(U_0=\frac{T_{on}}{T}E=\alphaE\)，当\(U_0E\)时，即\(\alphaEE\)，可得\(0\alpha1\)，又因为是降压情况，所以\(0\alpha0.5\)。
4.IGBT属于（）控制型元件。
A、电流
B、电压
C、电阻
D、频率
正确答案：B
答案解析：IGBT是绝缘栅双极型晶体管，属于电压控制型元件，通过施加电压信号来控制其导通和关断。
5.可实现有源逆变的电路为（）。
A、三相半波可控整流电路
B、三相半控桥整流桥电路
C、单相全控桥接续流二极管电路
D、单相半控桥整流电路
正确答案：A
答案解析：可实现有源逆变的电路需满足一定条件，其中一个重要条件是电路必须工作在晶闸管的有源逆变状态，即晶闸管的控制角大于90°。三相半波可控整流电路在一定条件下可以实现有源逆变，当控制角α90°时，输出电压Ud为负值，电流Id的方向不变，此时电路实现有源逆变。而三相半控桥整流桥电路、单相全控桥接续流二极管电路、单相半控桥整流电路一般不能实现有源逆变。三相半控桥整流桥电路由于没有全控器件，无法满足有源逆变的条件；单相全控桥接续流二极管电路，接续流二极管后一般也不能实现有源逆变；单相半控桥整流电路同样不具备实现有源逆变的能力。
6.在晶闸管整流电路中，变压器二次侧所供给的有功功率P＝（）
A、I2Rd
B、I2dRd
C、UId
D、U2Id
正确答案：D
7.在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区内的信号是（）
A、干扰信号和触发信号
B、干扰信号
C、触发电压信号
D、触发电流信号
正确答案：B
8.电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（）
A、0°～150°
B、15°～125°
C、30°～150
D、0°～120°
正确答案：A
9.触发电路中的触发信号应具有（）
A、足够大的触发功率
B、足够小的触发功率
C、尽可能缓的前沿
D、尽可能窄的宽度
正确答案：A
答案解析：触发电路中的触发信号需要有足够大的触发功率，才能可靠地触发晶闸管等功率器件动作。足够小的触发功率无法使器件正常触发，B错误；尽可能缓的前沿不利于快速触发器件开通，C错误；尽可能窄的宽度可能导致触发不可靠或不能满足电路要求，D错误。
10.下列全控器件中，属于电流控制型的器件是（）。
A、P-MOSFET
B、SIT
C、GTR
D、IGBT
正确答案：C
答案解析：GTR是电流控制型器件，通过基极电流来控制集电极电流。P-MOSFET、IGBT是电压控制型器件，通过栅源电压控制漏极电流等；SIT是静电感应晶体管，也属于电压控制型器件。
11.三相桥式全控整流电路，电阻性负载时的移相范围为（）度。
A、0～120
B、0～90
C、0～180
D、0～150
正确答案：A
答案解析：在三相桥式全控整流电路中，电阻性负载时，晶闸管的导通角为120°，移相范围是0°到120°。通过对电路工作原理和晶闸管导通情况的分析可以得出此结论。当控制角α从0°变化到120°时，整流输出电压会相应地发生变化，从而实现对输出电压的控制。
12.IGBT是一个复合型的器件，它是（）
A、GTR驱动的MOSFET
B、MOSFET驱动的GTR
C、MOSFET驱动的晶闸管
D、MOSFET驱动的GTO
正确答案：B
答案解析：IGBT是绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET驱动的GTR。MOSFET实现了高输入阻抗，GTR则提供了大电流处理能力，两者结合使得IGBT具有良好的性能，如高输入阻抗、低导通压降、快速开关特性等。
13.电流型逆变器中间直流环节贮能元件是()。
A、电感
B、电容
C、电动机
D、蓄电池
正确答案：A
答案解析：电流型逆变器中间直流环节贮能元件是电感。电感的特点是电流不能突变，在电流型逆变器中，通过电感来维持直流环节电流的稳定，为逆变器提供稳定的直流电源。而电容是电压型逆变器中间直流环节的贮能元件；蓄电池和电动机一般不用于电流型逆变器中间直流环节作为贮能元件