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文件名称:2月模拟电子技术模拟练习题+参考答案解析.docx
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总页数:21 页
更新时间:2025-06-23
总字数:约6.35千字
文档摘要

2月模拟电子技术模拟练习题+参考答案解析

一、单选题(共30题,每题1分,共30分)

1.引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多,其中最难控制的是()

A、电路中电容和电阻数值的变化

B、半导体器件参数的变化

C、电源电压的变化

D、元器件的对称性

正确答案:B

答案解析:半导体器件参数的变化是引起直接耦合放大器零点漂移的主要原因之一,而且半导体器件参数受温度等因素影响较大,具有不确定性,很难精确控制和补偿,相比其他选项,它是最难控制的。电路中电容和电阻数值的变化相对来说比较稳定,可通过精确设计和选用元件来减小影响;电源电压变化可采用稳压措施来稳定;元器件的对称性问题也可通过合理选择和匹配来改善。

2.用色标法表示电阻器的允许误差时,允许误差为±0.5%的色环颜色是()。

A、绿

B、金

C、棕

D、蓝

正确答案:A

答案解析:电阻器色标法中,棕色表示允许误差±1%,红色表示允许误差±2%,绿色表示允许误差±0.5%,蓝色表示允许误差±0.25%,金色表示允许误差±5%。所以允许误差为±0.5%的色环颜色是绿色。

3.一个单端输出的差动放大器,要提高共模抑制比,办法是()

A、尽量使管子参数对称

B、尽量使电路参数对称

C、减小共模负反馈电阻Re的值

D、增大共模负反馈电阻Re的值

正确答案:D

答案解析:共模抑制比与共模负反馈电阻Re有关,增大Re的值可以增强对共模信号的抑制能力,从而提高共模抑制比。尽量使管子参数和电路参数对称能减小零点输出,但不是提高共模抑制比的关键办法。减小共模负反馈电阻Re的值会降低对共模信号的抑制能力,不利于提高共模抑制比。

4.在固定偏置放大电路中,为了使工作于饱和状态的三极管进入放大状态,可采用的措施是()。

A、增大RB

B、减小RB

C、增大RC

D、减小RC

正确答案:A

5.电感线圈的单位符号是()。

A、L

B、H

C、R

D、C

正确答案:B

答案解析:电感的单位是亨利,符号是H。选项A中“L”不是电感线圈单位符号;选项C中“R”是电阻的符号表示,不是电感;选项D中“C”是电容的符号表示,不是电感。所以电感线圈的单位符号是H,答案选B。

6.根据作业指导书或样板之要求,该焊元件没焊,焊成其它元件叫()。

A、漏焊

B、搭焊

C、焊反

D、错焊

正确答案:D

答案解析:错焊是指焊接时没有按照作业指导书或样板要求焊接指定的元件,而是焊成了其他元件。焊反是指元件焊接的方向错误;漏焊是指该焊接的元件没有焊接;搭焊是指不该相连的部位焊在了一起,均不符合题意。

7.CW7900系列稳压器的1脚为()

A、公共端

B、输出端

C、输入端

D、调整端

正确答案:A

答案解析:CW7900系列稳压器为负电压输出的三端稳压器,其引脚功能分别为:1脚是公共端,2脚是输入端,3脚是输出端。所以1脚为公共端,答案选A。

8.有一个三极管,它的两个PN结均处于反偏状态,即它工作在()

A、反相击穿区

B、饱和区

C、截止区

D、放大区

正确答案:C

答案解析:三极管工作在截止区时,其两个PN结均处于反偏状态。在饱和区时,发射结正偏,集电结正偏;在放大区时,发射结正偏,集电结反偏;在反相击穿区时,三极管处于被击穿的异常状态,不是正常工作状态。

9.对于放大电路,所谓开环是指()。

A、无负载

B、无信号源

C、无反馈通路

D、无电源

正确答案:C

答案解析:开环是指放大电路没有反馈通路,此时电路的输出信号不会反过来影响输入信号。选项A无负载、选项B无信号源、选项D无电源都不符合开环的定义。

10.若集成运放的最大输出电压幅值为U,则在()的情况下,集成运放的输出电压为-U。

A、同相输人信号电压高于反相输入信号.

B、同相输入信号电压高于反相输入信号,并引入负反馈

C、反相输人信号电压高于同相输人信号,并引入负反馈

D、反相输人信号电压高于同相输人信号,并开环

正确答案:D

答案解析:集成运放工作在开环状态时,当反相输入信号电压高于同相输入信号时,输出电压为-U。A选项同相输入信号电压高于反相输入信号时,输出不是-U;B选项引入负反馈时,输出情况较复杂,不会简单是-U;C选项引入负反馈也不符合输出为-U的情况。

11.P型半导体中多数载流子是带正电的空穴,N型半导体中多数载流子是带负电的自由电子,以下说法正确的是()

A、P型半导体带正电,N型半导体带负电

B、P型半导体带负电,N型半导体带正电

C、P型半导体和N型半导体均呈电中性

D、P型半导体和N型半导体的带电性不确定

正确答案:C

答案解析:P型半导体中,空穴是多数载流子,但同时也存在等量的带负电的杂质离子,整体呈电中性;N型半导体中,自由电子是多数载流子,但也存在等量的带正电的杂质离子,整体也呈电中性。所以P