组织分析稳定氧化物夹杂照片M3:2高速钢晶界析出相背散射图片第29页，共41页，星期日，2025年，2月5日第1页，共41页，星期日，2025年，2月5日扫描电镜的作用扫描电镜的主要构造和工作原理扫描电镜对样品的作用能谱的工作原理、结构、特点波谱的工作原理、结构、特点JEOL-6380LV型SEM和EDAXEDS的主要功能分析举例样品的制备主要内容第2页，共41页，星期日，2025年，2月5日显微形貌分析（SEM）应用于材料、医药以及生物等领域。成分的常规微区分析（EDS）元素定性、半定量成分分析扫描电镜的作用第3页，共41页，星期日，2025年，2月5日扫描电镜的构造及原理扫描电镜由三个系统组成
(1)电子光学系统（镜筒）
(2)信号收集和图像显示系统(3)真空系统
第4页，共41页，星期日，2025年，2月5日几种类型电子枪性能比较第5页，共41页，星期日，2025年，2月5日特征X射线电子束与固体样品作用产生的信号第6页，共41页，星期日，2025年，2月5日SEM:二次电子
背散射电子二次电子它是被入射电子轰击出来的样品核外电子。背散射电子它是被固体样品中原子反射回来的一部分入射电子。特征X射线它是原子的内层电子受到激发之后，在能级跃迁过程中直接释放的具有特征能量和波长的一种电磁波辐射。EDS:特征X射线二次电子、背散射电子和特征X射线第7页，共41页，星期日，2025年，2月5日二次电子：产生范围在5-50nm的区域背散射电子：产生范围在100nm-1μm深度特征X射线：产生范围在500nm-5μm深度二次电子、背散射电子和特征X射线第8页，共41页，星期日，2025年，2月5日二次电子像衬度及特点二次电子信号主要来自样品表层5-50nm深度范围。影响二次电子产额的因素主要有：(1)二次电子能谱特性；(2)入射电子的能量；(3)材料的原子序数；(4)样品倾斜角?。二次电子像衬度来源：(1)形貌衬度(2)成分衬度(3)电压衬度(4)磁衬度二次电子像衬度特点：（1）分辨率高（2）景深大，立体感强（3）主要反应形貌衬度。第9页，共41页，星期日，2025年，2月5日背散射电子像及衬度特点影响背散射电子产额的因素有：(1)原子序数Z(2)入射电子能量E0(3)样品倾斜角?背散射系数与原子序数的关系背散射电子像衬度来源：(1)成分衬度(2)形貌衬度(3)磁衬度(第二类)背散射电子像衬度特点：(1)分辩率低(2)背散射电子检测效率低，衬度小(3)主要反应原子序数衬度第10页，共41页，星期日，2025年，2月5日二次电子与背散射电子之间的区别二次电子当样品中存在凸起小颗粒或尖角时对二次电子像衬度会有很大影响，其原因是，在这些部位处电子离开表层的机会增多。背散射电子检测器由一对硅半导体组成，对于原子序数信息来说，进入左右两个检测器的信号，大小和极性相同，而对于形貌信息，两个检测器得到的信号绝对值相同，其极性相反。成分有差别，形貌无差别成分无差别形貌有差别成分形貌都有差别第11页，共41页，星期日，2025年，2月5日二次电子图像背散射电子图像AlSn二次电子像与背散射电子像的比较第12页，共41页，星期日，2025年，2月5日收集二次电子时，为了提高收集有效立体角，常在收集器前端栅网上加上+250V偏压，使离开样品的二次电子走弯曲轨道，到达收集器。这样就提高了收集效率。收集背散射电子时，背散射电子仍沿出射直线方向运动，收集器只能收集直接沿直线到达栅网上的那些电子。信号收集第13页，共41页，星期日，2025年，2月5日加速电压、电子束与样品之间的关系第14页，共41页，星期日，2025年，2月5日工作距离对图像的影响第15页，共41页，星期日，2025年，2月5日孔径尺寸对图像的影响第16页，共41页，星期日，2025年，2月5日束斑大小最图像的影响第17页，共41页，星期日，2025年，2月5日能谱仪能谱仪全称为能量分散谱仪(EDS)．目前最常用的是Si(Li)X射线能谱仪，其关键部件是Si(Li)检测器，即锂漂移硅固态检测器，它实际上是一个以Li为施主杂质的n-i-p型二极管。Si(Li)检测器探头结构示意图第18页，共41页，星期日，2025年，2月5日以Si(Li)检测器为探头的能谱仪实际上是一整