Si基溅射法制备AlN缓冲层薄膜的关键技术与性能优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体器件的不断演进历程中，材料的选择与制备工艺始终是推动其性能提升的关键因素。AlN缓冲层薄膜作为一种具有独特物理性质的材料，在现代半导体器件中扮演着举足轻重的角色。

AlN属于直接带隙半导体，禁带宽度高达6.2eV，这使其在蓝光、紫外发光器件领域展现出巨大的应用潜力。其高击穿场强、高热导率、高电阻率和高化学及热稳定性，使其成为电子器件和集成电路封装、介质隔离及绝缘材料的理想选择，尤其适用于高温高功率器件，能够有效提升器件在极端工作环境下的可靠性与稳定性。在以氮化镓（GaN）为基础的半导体材