基于Cascode型GaNHEMT器件的UIS特性研究

一、引言

随着半导体技术的飞速发展，GaN（氮化镓）HEMT（高电子迁移率晶体管）器件因其卓越的电性能和可靠性，在电力电子领域得到了广泛应用。其中，Cascode型GaNHEMT器件以其独特的结构，展现出更高的击穿电压和更低的导通电阻，因此具有很高的研究价值。本文旨在研究基于Cascode型GaNHEMT器件的UIS（UnclampedInductiveSwitching）特性，以期为相关领域的实际应用提供理论依据。

二、Cascode型GaNHEMT器件概述

Cascode型GaNHEMT器件是一种具有双栅结构的晶体管，其