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文件名称:4H-SiC的辐照位移级联损伤及其对电学性能的影响.docx
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总页数:8 页
更新时间:2025-06-25
总字数:约3.77千字
文档摘要
4H-SiC的辐照位移级联损伤及其对电学性能的影响
一、引言
近年来,随着半导体技术的快速发展,4H-SiC因其独特的物理和化学性质,在高温、高功率和高频应用中显示出巨大的潜力。然而,当4H-SiC材料暴露在辐射环境中时,其电学性能会受到显著影响。本文将重点探讨4H-SiC在辐照条件下的位移级联损伤及其对电学性能的影响。
二、4H-SiC的基本性质与结构
4H-SiC是一种多型体硅碳化合物,具有高击穿电场、高热导率和优秀的化学稳定性等特点。其晶体结构为六方晶系,具有优良的电子和光学性能。这些特性使得4H-SiC在电力电子、光电子和微电子等领域有广泛应用。
三、辐照位移级联损伤
在辐射环境下,4