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4H-SiC的辐照位移级联损伤及其对电学性能的影响

一、引言

近年来，随着半导体技术的快速发展，4H-SiC因其独特的物理和化学性质，在高温、高功率和高频应用中显示出巨大的潜力。然而，当4H-SiC材料暴露在辐射环境中时，其电学性能会受到显著影响。本文将重点探讨4H-SiC在辐照条件下的位移级联损伤及其对电学性能的影响。

二、4H-SiC的基本性质与结构

4H-SiC是一种多型体硅碳化合物，具有高击穿电场、高热导率和优秀的化学稳定性等特点。其晶体结构为六方晶系，具有优良的电子和光学性能。这些特性使得4H-SiC在电力电子、光电子和微电子等领域有广泛应用。

三、辐照位移级联损伤

在辐射环境下，4