基本信息
文件名称:《GB/T 45716-2025半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性试验》.pdf
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总页数:4 页
更新时间:2025-06-26
总字数:约7.14千字
文档摘要
ICS31.080.01
CCSL40
中华人民共和国国家标准
/—/:
GBT457162025IEC623732006
半导体器件金属氧化物半导体场效应晶
体管()的偏置温度不稳定性试验
MOSFETs
—
SemiconductordevicesBias-temeratureinstabilittestformetal-
py
()
oxidesemiconductorfield-effecttransistorsMOSFETs
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IEC623732006Bias-temeraturestabilittestformetal-oxide
py
,(),]
semiconductorfield-effecttransistorsMOSFETIDT
2025-05-30发布2025-09-01实施
国家市场监督管理总局
发布
国家标准化管理委员会
/—/:
GBT457162025IEC623732006
目次
前言…………………………Ⅲ
1范围………………………1
2规范性引用文件…………………………1
3术语和定义………………1
4试验设备…………………3
4.1设备…………………3
4.2处理要求……………3
5试验样品…………………3
5.1样品…………………3
5.2封装…………………4
5.3防静电保护电路……………………4
6程序………………………4
6.1初始测量和读取点测量……………4
6.2试验…………………………