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文档摘要

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In2Se3单晶纳米片厚度调控对载流子特性的影响研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今材料科学与凝聚态物理的前沿探索中，二维材料凭借其独特的原子结构和优异的物理性质，成为了研究的焦点。其中，In?Se?作为一种具有丰富物理内涵和广阔应用前景的二维层状材料，以其多样的相结构、显著的铁电特性、良好的半导体性能以及较高的载流子迁移率等优势，吸引了众多科研工作者的目光。

In?Se?具备丰富的相结构，常见的有α、β、β′、γ、ε相等，每一种相结构都伴随着独特的晶体结构与物理性质。例如，α相In?Se?在室温下呈现出稳定的铁电性，其面内极化与面外极化相互耦合，这种特殊的铁电性质使其在