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文件名称:In2Se3单晶纳米片厚度调控对载流子特性的影响研究.docx
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总页数:29 页
更新时间:2025-06-26
总字数:约2.65万字
文档摘要
In2Se3单晶纳米片厚度调控对载流子特性的影响研究
一、引言
1.1研究背景与意义
在当今材料科学与凝聚态物理的前沿探索中,二维材料凭借其独特的原子结构和优异的物理性质,成为了研究的焦点。其中,In?Se?作为一种具有丰富物理内涵和广阔应用前景的二维层状材料,以其多样的相结构、显著的铁电特性、良好的半导体性能以及较高的载流子迁移率等优势,吸引了众多科研工作者的目光。
In?Se?具备丰富的相结构,常见的有α、β、β′、γ、ε相等,每一种相结构都伴随着独特的晶体结构与物理性质。例如,α相In?Se?在室温下呈现出稳定的铁电性,其面内极化与面外极化相互耦合,这种特殊的铁电性质使其在