基本信息
文件名称:《GB/T 45721.1-2025半导体器件 应力迁移试验 第1部分:铜应力迁移试验》.pdf
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总页数:5 页
更新时间:2025-06-26
总字数:约8.09千字
文档摘要

ICS31.080.01

CCSL40

中华人民共和国国家标准

/—/:

GBT45721.12025IEC62880-12017

半导体器件应力迁移试验

:

第部分铜应力迁移试验

1

——

SemiconductordevicesStressmirationtest

g

:

Part1Coerstressmirationtest

ppg

(:,——

IEC62880-12017SemiconductordevicesStressmirationteststandard

g

:,)

Part1CoerstressmirationteststandardIDT

ppg

2025-05-30发布2025-09-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

/—/:

GBT45721.12025IEC62880-12017

目次

前言…………………………Ⅲ

引言…………………………Ⅳ

1范围………………………1

2规范性引用文件…………………………1

3术语和定义………………1

4试验方法…………………2

4.1测试结构……………2

4.2试验设备……………5

4.3试验温度……………5

、……………

4.4试验条件样本数和测量5

4.5失效