基本信息
文件名称:GB/T 45721.1-2025半导体器件 应力迁移试验 第1部分:铜应力迁移试验.pdf
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总页数:5 页
更新时间:2025-06-26
总字数:约8.09千字
文档摘要
ICS31.080.01
CCSL40
中华人民共和国国家标准
/—/:
GBT45721.12025IEC62880-12017
半导体器件应力迁移试验
:
第部分铜应力迁移试验
1
——
SemiconductordevicesStressmirationtest
g
:
Part1Coerstressmirationtest
ppg
(:,——
IEC62880-12017SemiconductordevicesStressmirationteststandard
g
:,)
Part1CoerstressmirationteststandardIDT
ppg
2025-05-30发布2025-09-01实施
国家市场监督管理总局
发布
国家标准化管理委员会
/—/:
GBT45721.12025IEC62880-12017
目次
前言…………………………Ⅲ
引言…………………………Ⅳ
1范围………………………1
2规范性引用文件…………………………1
3术语和定义………………1
4试验方法…………………2
4.1测试结构……………2
4.2试验设备……………5
4.3试验温度……………5
、……………
4.4试验条件样本数和测量5
4.5失效