基本信息
文件名称:《GB/T 45718-2025半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)试验》.pdf
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总页数:4 页
更新时间:2025-06-26
总字数:约5.94千字
文档摘要
ICS31.080.01
CCSL40
中华人民共和国国家标准
/—/:
GBT457182025IEC62374-12010
半导体器件内部金属层间的时间
相关介电击穿()试验
TDDB
—
SemiconductordevicesTime-deendentdielectricbreakdown
p
()
TDDBtestforinter-metallaers
y
(:,—:
IEC62374-12010SemiconductordevicesPart1Time-deendent
p
(),)
dielectricbreakdownTDDBtestforinter-metallaersIDT
y
2025-05-30发布2025-09-01实施
国家市场监督管理总局
发布
国家标准化管理委员会
/—/:
GBT457182025IEC62374-12010
目次
前言…………………………Ⅲ
1范围………………………1
2规范性引用文件…………………………1
3术语和定义………………1
4试验设备…………………2
5试验样品…………………2
5.1通则…………………2
5.2测试结构……………2
6试验程序…………………4
6.1概述…………………4
6.2预测试………………4
6.3试验条件………