基本信息
文件名称:中国国家标准 GB/T 45718-2025半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)试验.pdf
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总页数:4 页
更新时间:2025-06-26
总字数:约5.94千字
文档摘要

ICS31.080.01

CCSL40

中华人民共和国国家标准

/—/:

GBT457182025IEC62374-12010

半导体器件内部金属层间的时间

相关介电击穿()试验

TDDB

SemiconductordevicesTime-deendentdielectricbreakdown

p

()

TDDBtestforinter-metallaers

y

(:,—:

IEC62374-12010SemiconductordevicesPart1Time-deendent

p

(),)

dielectricbreakdownTDDBtestforinter-metallaersIDT

y

2025-05-30发布2025-09-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

/—/:

GBT457182025IEC62374-12010

目次

前言…………………………Ⅲ

1范围………………………1

2规范性引用文件…………………………1

3术语和定义………………1

4试验设备…………………2

5试验样品…………………2

5.1通则…………………2

5.2测试结构……………2

6试验程序…………………4

6.1概述…………………4

6.2预测试………………4

6.3试验条件………