基本信息
文件名称:GB/T 45722-2025半导体器件 恒流电迁移试验.pdf
文件大小:253.34 KB
总页数:4 页
更新时间:2025-06-26
总字数:约4.42千字
文档摘要
ICS31.080.01
CCSL40
中华人民共和国国家标准
/—/:
GBT457222025IEC624152010
半导体器件恒流电迁移试验
—
SemiconductordevicesConstantcurrentelectromirationtest
g
(:,)
IEC624152010IDT
2025-05-30发布2025-09-01实施
国家市场监督管理总局
发布
国家标准化管理委员会
/—/:
GBT457222025IEC624152010
目次
前言…………………………Ⅲ
1范围………………………1
2规范性引用文件…………………………1
、…………………………
3术语定义和符号1
4背景………………………2
5样本量……………………2
6测试结构…………………2
7试验条件…………………3
8失效判据…………………3
9数据分析…………………3
参考文献………………………6
Ⅰ
/—/:
GBT457222025IEC624152010
前言
/—《:》
本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定
GBT1.1