化学机械抛光液〔CMP〕氧化铝抛光液
一、行业的界定与分类 2
〔一〕化学机械抛光 2
1、化学机械抛光概念 2
2、CMP工艺的根本原理 2
3、CMP技术所承受的设备及消耗品 2
4、CMP过程 2
5、CMP技术的优势 2
\l“_TOC_250017“〔二〕化学机械抛光液 3
\l“_TOC_250016“1、化学机械抛光液概念 3
\l“_TOC_250015“2、化学机械抛光液的组成 3
\l“_TOC_250014“3、化学机械抛光液的分类 3
\l“_TOC_250013“4、CMP过程中对抛光液性能的要求 3
\l“_TOC_250012“〔三〕化学机械抛光液的应用领域 3
\l“_TOC_250011“二、原材料供给商 4
\l“_TOC_250010“三、化学机械抛光液行业现状 4
\l“_TOC_250009“〔一〕抛光液行业现状 4
\l“_TOC_250008“1、国际市场主要抛光液企业分析 4
2、我国抛光液行业运行环境分析 4
\l“_TOC_250007“3、我国抛光液行业现状分析 5
\l“_TOC_250006“4、我国抛光液行业重点企业竞争分析 5
\l“_TOC_250005“〔二〕抛光液行业进展趋势 5
\l“_TOC_250004“〔三〕抛光液行业进展的问题 5
\l“_TOC_250003“四、需求商 6
〔一〕半导体硅材料 6
1、电子信息产业介绍 6
\l“_TOC_250002“2、半导体硅材料的简洁介绍 6
\l“_TOC_250001“〔二〕分立器件行业 7
\l“_TOC_250000“〔三〕抛光片 8
一、行业的界定与分类化学机械抛光液行业争论
一、行业的界定与分类
〔一〕化学机械抛光化学机械抛光概念、1〕，又
CMPChemical-MechanicalPolishing，缩写化学机械抛光〔英语：〕，是半导体称化学机械平坦化〔英语：Chemical-MechanicalPlanarization用来对正在加工中的硅片或其它衬底材料进展平坦器件制造工艺中的一种技术，化处理。、
工艺的根本原理2CMP化学氧化剂根本原理是将待抛光工件在肯定的下压
力及抛光液(由超细颗粒、借助磨粒的下相对于一个抛光垫作旋转运动,和液体介质组成的混合液)的存在
并获得光滑表机械磨削及化学氧化剂的腐蚀作用来完成对工件外表的材料去除,面。3、技术所承受的设备及消耗品CMP清洗设备、抛光终点检测及CMP抛光液、抛光垫、后主要包括，抛光机、
工艺掌握设备、废物处理和检测设备等，其中抛光液和抛光垫为消耗品。过
程4、CMP抛光液和抛光垫后清洗和计量测量等局部组成，抛光机、过程主要有抛光、CMP能到达的外表平坦水平。工艺的3大关键要素，其性能和相互匹配打算是CMP、技术的优势5CMP 最初半导体基片大多承受机械抛光的
平坦方法,但得到的外表损伤极其严峻，基于淀积技术的选择淀积、溅射玻璃SOG(spin-on-glass)、低压CV
D(chemicalvaporde-posit)、等离子体增加CVD、偏压溅射和属于构造的溅射后回腐蚀、热回流、淀积-腐蚀-淀积等方法也曾在IC工艺中获得应用,但均属局部不能满足特征尺寸在,其平坦化力量从几微米到几十微米不等,平面化技术
0.35μm以下的全局平面化要求。1991年IBM首次将化学机械抛光技术成功应用到64MbDRAM的生产中，之后各种规律电路和存储器以不同的进展规模走向CMP，CMP将纳米粒子的研磨作用与氧化剂的化学作用有机地结合起来，满足了特征尺寸在0.35μm以下的全局平面化要求，CMP可以引人注目地得到用其他任何平面化加工不能得到的低的外表形貌变化。目前，化学机械抛光技术已成为几乎公认为惟一的全局平面化技术，其应用范围正日益扩大。
〔二〕化学机械抛光液
1、化学机械抛光液概念
化学机械抛光液是在利用化学机械抛光技术对半导体材料进展加工过程中的一种研磨液体，由于抛光液是CMP的关键要素之一，它的性能直接影响抛光后表
面的质量，因此它也成为半导体制造中的重要的、必不缺少的关心材料。
2、化学机械抛光液的组成
化学机械抛光液的组成一般包括一般由超细固体粒子研磨剂〔如纳米SiO2、Al2O3粒子等〕、外表活性剂、稳定剂、氧化剂等。固体粒子供给研磨作用,化学氧化剂供给腐蚀溶解作用，由于SiO2粒子去除率最高,得到的外表质量最好，因此在硅片抛光加工中主要承受SiO2抛光液，
3、化学机械抛光液的分类
抛光工艺中有粗抛光