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F280049C的硬件架构
1.引言
F280049C是TexasInstrumentsC2000系列中的一款高性能实时控制单片机，广泛应用于电力电子、电机控制、工业自动化等领域。本节将详细介绍F280049C的硬件架构，包括其核心处理单元、存储器、外设和通信接口等主要组成部分。
2.核心处理单元
2.1CPU架构
F280049C采用32位定点C28xCPU，工作频率最高可达200MHz。C28xCPU是基于TMS320C28x架构的实时控制处理器，具有高性能、低功耗和高集成度的特点。它支持流水线处理和中断快速响应，能够高效地执行复杂的控制算法。
2.2内核特性
流水线处理：C28xCPU采用7级流水线处理，提高了指令执行效率。
指令集：支持丰富的定点指令集，包括算术运算、逻辑运算、位操作和控制指令等。
中断处理：支持多达128个中断源，具有可编程的中断优先级和向量地址。
低功耗模式：支持多种低功耗模式，如空闲模式和掉电模式，以适应不同的应用场景。
2.3示例代码
以下是一个简单的C28xCPU中断处理示例代码，展示了如何配置中断优先级和处理中断。
//包含必要的头文件
#includeF28004x_Device.h
//定义中断处理函数
__interruptvoidMyISR(void){
//中断处理代码
//例如，更新某个变量或控制某个外设
EINT;//使能全局中断
}
//主函数
intmain(void){
//初始化系统
InitSysCtrl();
//配置中断向量地址
PieVectTable.INT13=MyISR;//将中断13的向量地址设置为MyISR
//使能中断
IER|=M_INT13;//使能中断13
EINT;//使能全局中断
ERTM;//使能实时模式
//主循环
while(1){
//实时控制代码
}
}
3.存储器
3.1程序存储器
F280049C具有多种类型的程序存储器，包括Flash存储器和SRAM。Flash存储器用于存放固件和常量数据，而SRAM用于存放运行时数据和堆栈。
Flash存储器：256KB，分为多个分区，支持多次编程和擦除。
SRAM：128KB，分为多个分区，访问速度快，适用于实时控制任务。
3.2数据存储器
数据Flash：16KB，用于存放非易失性数据，如校准参数和配置信息。
DARAM：32KB，访问速度快，用于存放关键的实时数据。
3.3存储器配置
存储器配置可以通过软件进行，具体包括存储器分区的设置、访问控制和擦除编程操作。以下是一个存储器分区配置的示例代码：
//包含必要的头文件
#includeF28004x_Device.h
#includeF28004x_examples.h
//定义存储器分区
#defineFLASH_BANK_SIZE(128*1024)//128KB分区大小
//主函数
intmain(void){
//初始化系统
InitSysCtrl();
//配置Flash存储器分区
FlashCtl_setProtection(FLASH_PROTECTION_NONE);//禁用Flash保护
FlashCtl_setEraseSize(FLASH_ERASE_128K);//设置擦除大小为128KB
//擦除Flash分区
FlashCtl_massErase();//擦除整个Flash
FlashCtl_bankErase(0);//擦除Bank0
FlashCtl_bankErase(1);//擦除Bank1
//编程Flash分区
Uint16*pFlash=(Uint16*)0x3D0000;//指向Flash地址
Uint16data=0xABCD;//要写入的数据
FlashCtl_programWord(pFlash,data);//写入一个16位数据
//主循环
while(1){
//实时控制代码
}
}
4.外设
4.1模拟输入输出
F280049C集成了多个模拟输入