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MSP430FR2355铁电存储器(FRAM)概述
MSP430FR2355是TexasInstruments推出的一款具有铁电存储器(FRAM)的低功耗微控制器。FRAM是一种非易失性存储技术，具有快速读写速度、无限次写入寿命、低功耗和高耐久性的特点。这些特性使MSP430FR2355在电力管理、数据记录和实时应用中表现出色。
FRAM的优势
快速读写速度：FRAM的读写速度与SRAM相当，但具有非易失性。
无限次写入寿命：FRAM可以进行无限次的写入操作，不会像闪存那样出现写入次数限制。
低功耗：FRAM在读写操作时的功耗非常低，适用于电池供电的设备。
高耐久性：FRAM能够在极端温度和电磁干扰下保持数据的完整性。
应用领域
电力管理：存储关键的配置参数和运行数据。
数据记录：实时记录传感器数据，确保数据在断电后不会丢失。
实时应用：快速响应系统事件，减少延迟。
FRAM的基本操作
初始化
在使用FRAM之前，需要进行初始化操作。MSP430FR2355的FRAM初始化可以通过简单的代码实现。
#includemsp430.h
voidFRAM_init(void){
//配置FRAM控制寄存器
FRCTL0=FRCTLPW|NWAITS_1;//设置等待周期为1
}
intmain(void){
WDTCTL=WDTPW|WDTHOLD;//停止看门狗定时器
FRAM_init();//初始化FRAM
//主循环
while(1){
//应用程序代码
}
}
读操作
FRAM的读操作与普通的RAM操作相似，可以直接通过指针或数组访问。
#includemsp430.h
voidFRAM_init(void){
FRCTL0=FRCTLPW|NWAITS_1;//设置等待周期为1
}
voidFRAM_read(uint16_taddress,uint8_t*data,uint16_tlength){
//读取FRAM中的数据
for(uint16_ti=0;ilength;i++){
data[i]=FRAM[address+i];
}
}
intmain(void){
WDTCTL=WDTPW|WDTHOLD;//停止看门狗定时器
FRAM_init();//初始化FRAM
uint8_tbuffer[10];
FRAM_read(0x0000,buffer,10);//从FRAM地址0x0000读取10个字节的数据
//主循环
while(1){
//应用程序代码
}
}
写操作
FRAM的写操作同样简单，可以直接通过指针或数组写入数据。
#includemsp430.h
voidFRAM_init(void){
FRCTL0=FRCTLPW|NWAITS_1;//设置等待周期为1
}
voidFRAM_write(uint16_taddress,uint8_t*data,uint16_tlength){
//写入FRAM中的数据
for(uint16_ti=0;ilength;i++){
FRAM[address+i]=data[i];
}
}
intmain(void){
WDTCTL=WDTPW|WDTHOLD;//停止看门狗定时器
FRAM_init();//初始化FRAM
uint8_tdata_to_write[]={0x01,0x02,0x03,0x04,0x05};
FRAM_write(0x0000,data_to_write,5);//向FRAM地址0x0000写入5个字节的数据
//主循环
while(1){
//应用程序代码
}
}
FRAM的高级应用
数据记录
在电力管理应用中，记录关键的运行参数是非