Bi4Ti3O12（BIT）和Bi2GeO5（BGO）体系铁电相变与挠曲电效应的分子动力学研究

一、引言

铁电材料因其独特的电性能和物理特性，在微电子、光电子和传感器技术等领域具有广泛的应用前景。Bi4Ti3O12（BIT）和Bi2GeO5（BGO）作为典型的铁电材料，其铁电相变与挠曲电效应的研究对理解铁电材料的物理性质和优化其性能具有重要意义。本文通过分子动力学方法，对BIT和BGO体系的铁电相变与挠曲电效应进行了深入研究。

二、Bi4Ti3O12（BIT）的铁电相变研究

Bi4Ti3O12（BIT）是一种具有钙钛矿结构的铁电材料，其铁电相变的研究对于揭示铁电性产生的机理和优化材料性能具有重