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文件名称:化学气相沉积法制备石墨烯材料.docx
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更新时间:2025-06-27
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文档摘要
化学气相沉积法材料的制备
化学气相沉积法
化学气相沉积(CVD)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术,包括大范围的绝缘材料,大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说,它是很简洁的:两种或两种以上的气态原材料导入到一个反响室内,然后他们相互之间发生化学反响,形成一种的材料,沉积到晶片外表上。淀积氮化硅膜(Si3N4)就是一个很好的例子,它是由硅烷和氮反响形成的。
化学气相沉积法的原理
化学气相沉积法是利用气相反响,在高温、等离子或激光关心灯条件下,掌握反响器呀、气流速率、基板材料温度等因素,从而掌握纳米微粒薄膜的成核生长过程;或者通过薄膜后处理,掌握非晶薄膜的晶化过程,从而或