ICS81.060.30CCSQ32
T/CIET
团体标准
T/CIET1282—2025
反应烧结碳化硅/碳化硼陶瓷板技术要求
Technicalrequirementsforreaction-sinteredsiliconcarbide/boroncarbideceramic
plates
2025-05-14发布2025-05-14实施
中国国际经济技术合作促进会发布
I
T/CIET1282—2025
目次
前言 II
1范围 1
2规范性引用文件 1
3术语和定义 1
4技术要求 1
5试验方法 2
6检验规则 3
7标志、包装、运输和贮存 4
II
T/CIET1282—2025
前言
本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由中国国际经济技术合作促进会标准化工作委员会提出。
本文件由中国国际经济技术合作促进会归口。
本文件起草单位：中国兵器工业集团第五二研究所、浙江立泰复合材料股份有限公司、通标中研标准化技术研究院（北京）有限公司、途邦认证有限公司。
本文件主要起草人：李志鹏、赵录峰、邢凌新、孙少霖、韩晗、刘岩、吴永利、汪贤峰、乔桂凤、马永苹、徐敬铭、包瑾、李丽丽。
本文件首次发布。
1
T/CIET1282—2025
反应烧结碳化硅/碳化硼陶瓷板技术要求
1范围
本文件规定了反应烧结碳化硅/碳化硼陶瓷板的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存等内容。
本文件适用于反应烧结碳化硅/碳化硼陶瓷板。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T191包装储运图示标志
GB/T6569精细陶瓷弯曲强度试验方法
GB/T16534精细陶瓷室温硬度试验方法
GB/T25995精细陶瓷密度和显气孔率试验方法
GJB179A计数抽样检验程序及表
3术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1
反应烧结碳化硅reaction-bondedSiC
由细颗粒α-SiC和添加剂成素坯，在高温下与硅接触，坯体中的碳与渗入的Si反应，生成β-SiC，并与α-SiC相结合，游离硅和β-SiC填充了气孔，从而得到高致密性的陶瓷材料。
3.2
反应烧结碳化硼reaction-bondedB4C
以碳化硼粉体为基础材料，添加适量的碳、碳化硅等组分压制成型的素坯，在一定的温度下素坯中的碳与硅反应生成β-SiC，同时与素坯中的碳化硼、碳化硅晶相结合，气相和液相的硅渗入空隙，形成高致密的陶瓷材料。
4技术要求
4.1力学性能
力学性能应符合表1的规定。
表1陶瓷板力学性能
材质
密度
维氏硬度
抗弯强度
g/cm
Hv0.5
MPa
反应烧结碳化硅
≥3.0
≥2200
≥300
反应烧结碳化硼
≥2.55
≥2800
≥300
2
T/CIET1282—2025
4.2扭曲变形量
4.2.1反应烧结碳化硅扭曲变形量不应大于5%。
4.2.2反应烧结碳化硼扭曲变形量不应大于5%。
4.3尺寸及公差
4.3.1产品尺寸及公差：厚度≤±0.2mm，宽度≤±1.5mm，长度≤2mm，或符合产品技术文件、图样的具体规定。
4.3.2反应烧结碳化硼陶瓷对角尺寸偏差不应大于0.8mm，厚度尺寸偏差不应大于0.2mm。
4.3.3人体防护陶瓷常规尺寸见表2。
表2人体防护用陶瓷尺寸
型号
宽度
mm
高度
mm
小号
220~250
270~300
大号
251~280
301~370
注：实际交尺寸以客户需求为准。
4.4外观
产品表面应清洁，外观形状应规整，不应存在主要缺陷，存在3个以内（含3个）次要缺陷为合格品，否则为不合格品。外观缺陷应符合表3的要求。
表3外观缺陷
序号
缺陷特征
参数
缺陷分类
主要
次要
1
分层
--
√
--
2
贯穿裂纹
距离边缘30mm以上
√
--
3
尺寸≤100mm×100mm