ICS25.220.40CCSH01
团体标准
T/CI512—2024
硅基厚金属膜电镀工艺技术规范
Technicalspecificationsforcriterionofthesilicon-basedthickmetalfilm
electroplatingprocess
2024-09-18发布2024-09-18实施
中国国际科技促进会
发布
出版
Ⅰ
T/CI512—2024
目次
前言 Ⅲ
1范围 1
2规范性引用文件 1
3术语和定义 1
4缩略语 2
5工艺流程 2
5.1硅片清洗 2
5.2第一层绝缘层沉积 2
5.3第一层金属层沉积 3
5.4第一层厚金属膜光刻 3
5.5第一层厚金属膜电镀 3
5.6去胶和湿法腐蚀 4
5.7第二层绝缘层沉积 4
5.8两层厚金属膜间的连接层光刻 4
5.9绝缘层刻蚀 5
5.10去胶 5
5.11第二层金属层沉积 6
5.12第二层厚金属膜光刻 6
5.13第二层厚金属膜电镀 6
5.14去胶和湿法腐蚀 7
6工艺加工能力 7
6.1工艺能力要求 7
6.2工艺稳定性要求 8
7工艺保障条件要求 8
7.1人员要求 8
7.2环境要求 8
8原材料及辅助材料要求 8
9安全与环境操作要求 9
9.1安全 9
9.2化学试剂 9
9.3排放 9
10检验 10
10.1目的 10
10.2关键工艺检验 10
10.3最终检验 11
Ⅲ
T/CI512—2024
前言
本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由清华大学提出。
本文件由中国国际科技促进会归口。
本文件起草单位:清华大学、东南大学、上海交通大学、启元实验室、中国航天科技集团公司九院704所、淄博高新技术产业开发区MEMS研究院、广州天极电子科技股份有限公司、深圳市联合蓝海应用材料科技股份有限公司、苏州厚朴传感科技有限公司、北京旺凡科技有限公司、北京高科中创科学技术中心。
本文件主要起草人:赵晓光、孙云娜、李霁、尹玉刚、刘瑞涛、边潍、吴宇、梅子麒、梁潮、宋志强、周元楷、樊玉静、丁明建、任长友、周东平、王德周。
1
T/CI512—2024
硅基厚金属膜电镀工艺技术规范
1范围
本文件规定了硅基厚金属电镀工艺的加工能力、保障条件、材料、安全与环境操作、检验等技术要求,确立了硅基厚金属电镀工艺加工的程序。
本文件适用于硅基MEMS制造技术中厚金属膜多层布线的电镀加工。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T6682—2008分析实验室用水规格和试验方法
GB21900电镀污染物排放标准
GB/T26111微机电系统(MEMS)技术术语
GB/T28275—2012
硅基MEMS制造技术氢氧化钾腐蚀工艺规范
GB/T32814—2016
硅基MEMS制造技术基于SOI硅片的MEMS工艺规范
GB/T42789—2023
硅片表面光泽度的测试方法
GB50073洁净厂房设计规范
3术语和定义
GB/T26111界定的以及下列术