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文件名称:探索磁性单分子器件:电子输运性质与自旋调控的深度剖析.docx
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总页数:24 页
更新时间:2025-06-28
总字数:约3.07万字
文档摘要

探索磁性单分子器件:电子输运性质与自旋调控的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展,电子器件的小型化已成为当今科技领域的重要趋势。自1959年美国物理学家Feynman发表了题为“在底部有很大空间”的著名预言,提出从微观到宏观的材料和器件加工方法后,分子电子学应运而生并迅速发展,成为21世纪的前沿强交叉基础科学。在半导体器件微小化进程中,当尺寸逼近分子尺度时,传统以硅为基础的电子器件面临着物理尺寸的量子效应限制,而分子电子学提供了新的解决方案。

单分子器件作为分子电子学的核心研究对象,利用单个分子或少数分子作为功能单元来实现电子学功能。由于分子具有