钴铁硼/半导体异质结构磁各向异性的多维度探究与前沿展望

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今信息技术飞速发展的时代，电子器件的性能提升与小型化一直是研究的核心方向。自旋电子学作为一门新兴的交叉学科，致力于利用电子的自旋属性来实现信息的存储、处理和传输，为突破传统电子学的瓶颈带来了新的希望。在自旋电子学的众多研究体系中，钴铁硼（CoFeB）/半导体异质结构因其独特的物理性质和潜在的应用价值，成为了近年来的研究热点。

钴铁硼是一种重要的铁磁性材料，具有较高的饱和磁化强度、低矫顽力和良好的软磁性能，在磁性存储、传感器等领域有着广泛的应用。而半导体材料则以其优异的电学性能、丰富的载流子调控手段