六西格玛改进项目的测量系统分析（M阶段）设计案例综述
目录
六西格理改进项目的测量系统分析（M阶段）设计案例综述1
1.1流程分析1
1.2C/E矩阵分析2
1.3MSA分析6
为DMAIC六西格玛管理的第二个步骤，测量阶段承上启下，保证数据的
科学性与）隹确性，体现了六西格玛管理中基于数据和事实的重要原则。测量阶段
在定义阶段的基础上，围绕项目指标Y,收集分类相关输入因子x的数据，在输
出和输入之间建立对应关系。
1.1流程分析
通过流程图，我们可以识别过程关键要素，分析找出对Y有重大影响的过程
因素，以便确定出对Y有影响的所有输入因素变量x,并过滤掉那些不重要的因
素。TFTArraySD（Source线，即S线）干蚀刻制程的基本流程工艺的基本过程
为:清洗。镀膜。涂光阻。曝光。显影今蚀刻。剥离，宏观流程图如图1.5所示，
可以确认影响S断线不良的制程主要为TFT工程段清洗、成膜、PH等。
TFT基本工艺M
I下
???????
清洗涂光阻■光刻蚀剥高
图1.5TFT-CDArraySD干蚀刻制程的宏观流程图
接着，进一步细分清洗、成膜、PH等相关制程，确定上述每个流程中的“增
值VA〃与“非增值NVA部分，同时找出隐形工厂，确认每个细分流程的相关
性并识别可改进的机会，如图1.6所示为形成的动线流程图。
SD成膜
Process顺序J
图1.6TFT-CDSD干蚀刻制程动线流程图
1.2C/E矩阵分析
根据流程图，使用头脑风暴法、鱼骨图和C/E矩阵深入分析与y目标相关的
输入因子，C/E矩阵将流程的每个步骤与客户需求紧密联系在一起，需要从主
要原因开始向下展开次要原因，划分需求的重要性级别以及流程的每个步骤与需
求之间的相关程度。根据头脑风暴提出问题并做出假设，然后设置分数比重以
进行评估和整体打分。
由工艺特性和头脑风暴的结果可以得到，液残断线yl可能原因展开方向包
括水残留、Mist残留、PA残留、PR残渣。PVD异物断线y2展开方向包括靶材
表面异常、传送发尘、Mask异常、机构发尘、Carrier发尘。爬坡线断y3展开方
向包括水残留模式、GTTaper异常、Resist残渣、Resist附着力不足。总结每种
不良的主因及次因，并分别标记可控、难控和不可控，得到yl液残、y2异物、
y3爬坡断线的鱼骨图，如下图1.7所示。
图1.7yl液残、y2异物、y3爬坡断线鱼骨图
CE矩阵分析方法包括分析所有过程输入变量对输出变量的影响程度，根
据影响的重要性，输入和输出变量的权重按照1到10的重要程度进行打分，将
输入和输出变量的乘积排序以识别最关键的输入变量，如下表1.5o
表1.5CEMetricsistforS断线
对客户重要概权（i-io等级）8108746
WET工程123456
设备
基板影改进成本消环境综合评合计Rank
yL水残s断线主要输出值稳定