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文件名称：GLSI铜互连阻挡层CMP表面粗糙度缺陷控制机理的研究.pdf
文件大小：9.05 MB
总页数：81 页
更新时间：2025-07-02
总字数：约11.22万字
文档摘要
摘要
随着集成电路（IntegratedCircuit,IC）制造的逐渐发展，极大规模集成电路（Giant
LargeScaleIntegration,GLSI）特征尺寸不断缩小，多层铜互连结构层数的逐渐增多，
对每一层互连导线的全局平坦化效果提出了更高的要求。目前化学机械平坦化
ChemicalMechanicalPlanarization,CMP
（）是能实现晶圆表面全局平坦化的唯一关键
技术，其中阻挡层CMP是铜互连CM