基本信息
文件名称:用于功率转化的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)动态导通电阻测试方法指南 编制说明.docx
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总页数:18 页
更新时间:2025-07-02
总字数:约7.21千字
文档摘要
《用于功率转化的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaNHEMT)动态导通电阻测试方法指南》(征求意见稿)编制说明
一、工作简况
1、任务来源
《用于功率转化的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaNHEMT)动态导通电阻测试方法指南》标准制定是2024年第五批推荐性国家标准计划项目,计划项目批准文号:国标委发【2024】32号,计划代号T-339,由中华人民共和国工业和信息化部提出,由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口,主要承办单位为工业和信息化部电子第五研究所,广东工业大学、电子科技大学、三微电子科技(苏州)有限公司、南京大学等单位参与编制。项