基本信息
文件名称：T_CASAS 021-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)阈值电压测试方法.docx
文件大小：157.77 KB
总页数：23 页
更新时间：2025-07-01
总字数：约8.19千字
文档摘要
ICS31.080CCSL40/49
团体标准
T/CASAS021—2024
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）阈值电压测试方法
Thresholdvoltagetestmethodforsiliconcarbidemetal-oxidesemiconductor
fieldeffecttransistors(SiCMOSFET)
2024-11-19发布2024-11-19