华中科技大学硕士学位论文

摘要

超快恢复二极管开关特性好，广泛应川于电力电子领域。提高硅PIN结构二极管

开关速度的方法是在硅中引入复合中心，减小器件少子寿命。与掺金、电子辐照、离

子辐照相比，除了正向压降与反向恢复时间折衷特性较差之外，伯是一种理想的复合

中心。选川外延硅片制造超快恢复二极管，可以精确控制基区宽度，能够解决掺铝器

件正向压降(VF)与反向恢更时间(TJ折衷特性较差的问题。

本文对超快恢复二极管的制造工艺进行了着重研究。成功地将固态硼扩散工艺中