基本信息
文件名称：T_CASAS 046-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法.docx
文件大小：139.96 KB
总页数：18 页
更新时间：2025-07-01
总字数：约6.6千字
文档摘要
ICS31.080CCSL40/49
团体标准
T/CASAS046—2024
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
（SiCMOSFET）动态反偏（DRB）
试验方法
Dynamicreversebias（DRB）testmethodforsiliconcarbidemetal-oxide
semiconductorfiledeffecttransistors（SiCMOSFET）
2024-11-19发布