二维硫化锌（ZnS）结构设计及其量子性能调控的深度探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代材料科学领域，半导体材料始终占据着举足轻重的地位，其独特的电学、光学和热学等性能，为众多前沿科技的发展提供了坚实的物质基础。其中，ZnS作为一种重要的II-VI族直接带隙半导体材料，凭借其出色的物理特性，在光电器件、太阳能电池、生物医学以及传感器等多个关键领域展现出巨大的应用潜力，成为了科研人员广泛关注的焦点。

ZnS具有较宽的禁带宽度，在室温下，立方相ZnS的禁带宽度约为3.6-3.7eV，六方相ZnS的禁带宽度约为3.9-4.0eV。这种宽禁带特性使得ZnS