基本信息

---

下载

文档摘要

---

SiC基稀磁半导体薄膜：制备工艺与磁性特征的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在信息技术飞速发展的当下，电子器件的性能提升与小型化需求愈发迫切。自旋电子学作为一门新兴学科，致力于利用电子的自旋属性来实现信息的存储、处理和传输，为突破传统电子学的瓶颈提供了新的途径。稀磁半导体（DilutedMagneticSemiconductors，DMS）由于兼具半导体的电学特性和磁性材料的磁学特性，成为了自旋电子学领域的研究热点。

SiC作为第三代宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大（约为2.3-3.3eV，不同晶型有所差异）、饱和电子迁移速率高（约为2×10?cm/s）、热导率高