基本信息

---

下载

文档摘要

---

光学邻近校正赋能双重图形技术的深度剖析与创新实践

一、引言

1.1研究背景与意义

随着集成电路制造技术的飞速发展，芯片的集成度不断提高，特征尺寸持续缩小。当集成电路的特征尺寸趋近于曝光系统的理论极限时，光刻后硅片表面成像会产生严重的畸变，即光学邻近效应（OpticalProximityEffect，OPE）。OPE会导致光刻图案的尺寸偏差、形状变形以及线边缘粗糙度增加等问题，严重影响集成电路的性能、良率和可靠性。例如，在先进的7nm及以下工艺节点中，由于OPE的存在，光刻图案的关键尺寸偏差可能达到数纳米，这对于对尺寸精度要求极高的纳米级器件来说是无法接受的，可能导致器件性能的