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文档摘要

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非晶铟镓锌氧薄膜晶体管的器件物理特性与应用潜力研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子技术的飞速发展进程中，薄膜晶体管（Thin-FilmTransistor，TFT）作为构建各类电子器件的关键基础元件，发挥着不可替代的作用，尤其是在显示技术领域，其性能的优劣直接关乎显示设备的成像质量、能耗以及使用寿命等核心指标。非晶铟镓锌氧（AmorphousIndiumGalliumZincOxide，a-IGZO）薄膜晶体管凭借一系列独特且优异的性能，逐渐崭露头角，成为该领域的研究焦点与发展新方向。

a-IGZO薄膜晶体管具有卓越的电子迁移率。相较于传统的非晶硅薄膜晶体