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文件名称:CuX(X=Br,I)的电沉积制备及形貌调控:方法、机理与应用探索.docx
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更新时间:2025-07-11
总字数:约3.55万字
文档摘要

CuX(X=Br,I)的电沉积制备及形貌调控:方法、机理与应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在材料科学的广阔领域中,半导体材料以其独特的电学、光学和化学性质,成为推动现代科技进步的关键力量。铜的卤化物,如溴化亚铜(CuBr)和碘化亚铜(CuI),作为重要的二元化合物半导体材料,凭借其自身具备的优异性能,在众多领域展现出巨大的应用潜力,吸引了科研人员的广泛关注。

CuBr是一种具有重要应用价值的化合物,它具备大的能带间隙,这一特性使得其在光学领域表现出色,成为研究非线性光学的理想模型材料。同时,其负自旋轨道分裂、不寻常的强烈温敏性和类似反磁性行为等独特性质,也为其在多领域应用奠定了基