锰氧化物的激光与压强调控及关联极化子结构的深度剖析与前沿探索

一、引言

1.1研究背景与意义

锰氧化物作为一种重要的过渡金属氧化物，因其独特的强关联电子特性，在过去几十年间吸引了科研人员的广泛关注。这类材料中，电子的电荷、自旋、轨道和晶格自由度之间存在强烈的耦合作用，导致了丰富多样的物理现象，如金属-绝缘体转变、铁磁-反铁磁转变以及庞磁阻（CMR）效应等。其中，庞磁阻效应尤为引人注目，在这类材料中，施加一个较小的外磁场，就能引发电阻率发生几个数量级的急剧变化。这种显著的磁阻变化特性，使锰氧化物在磁存储、磁传感器、磁阻式随机存取存储器（MRAM）等领域展现出巨大的应用潜力。例如，在磁