SiC单晶片切割锯切力建模与试验研究：理论、验证与应用

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代半导体工业的迅猛发展，碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表，凭借其宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、低相对介电常数、耐高温和抗辐射等一系列卓越特性，在众多领域展现出巨大的应用潜力与优势，其性能和可靠性远优于传统的Si器件和GaAs器件。在高温、高压、高频、大功率、光电、抗辐射、微波等电子应用领域，以及航天、军工、核能等极端环境应用中，SiC材料都发挥着不可替代的关键作用。

在新能源汽车领域，SiC功率器件可显著提升车辆的能源利用效率，减少能量损耗，进而延长续航里程；在