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文档摘要

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Si基ZnO薄膜的慢正电子研究：微观缺陷与性能关联

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今材料科学与半导体技术飞速发展的时代，新型半导体材料的研究与开发始终占据着关键地位。ZnO作为一种具有六方纤锌矿结构的直接带隙宽禁带半导体材料，室温下的禁带宽度约为3.37eV，自由激子束缚能高达60meV，是室温热离化能（26meV）的3倍。与SiC、GaN等其它宽带隙材料相比，ZnO具有资源丰富、价格低廉、化学稳定性好、热稳定性高以及抗辐照损伤能力强等诸多优势，适合用于制造长寿命器件。自1997年发现ZnO薄膜的室温紫外光发射以来，ZnO薄膜在光电器件领域展现出了巨大的应