基本信息
文件名称：集成电路的制造工艺课件.ppt
文件大小：3.1 MB
总页数：45 页
更新时间：2025-07-17
总字数：约2.29千字
文档摘要
14、BPSG澱積BPSG厚度：8000+/-1000A用作多晶和AL的隔離介質PSUBBPSGSiSiO2PRPolyN+15、BPSG流動緩和BPSG的棱角以利於AL的爬坡和臺階覆蓋。完成N＋和P＋源漏結的最終推進。至此完成了電晶體部分的製作。PSUBBPSGSiSiO2PRPolyN+16、腐蝕接觸孔PSUB開引線孔採用先濕後幹的兩步工藝以利於AL在孔內的臺階覆蓋。BPSGSiSiO2PRPolyN+17、刻蝕接觸孔開引線孔採用先濕後幹的兩步工藝以利於AL在孔內的臺階覆蓋。PSUBBP