基本信息

---

下载

文档摘要

---

非对称性单电子器件模拟：原理、方法与应用探究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，半导体器件作为现代信息技术的核心元件，其性能和尺寸的优化一直是研究的重点。在过去几十年里，半导体器件遵循摩尔定律不断缩小尺寸，集成度持续提高，推动了计算机、通信、消费电子等众多领域的巨大进步。然而，当器件尺寸缩小到纳米尺度时，传统半导体器件面临着诸多挑战，如量子隧穿效应导致的漏电增加、功耗上升以及制造工艺的极限等问题，严重限制了其进一步发展。

单电子器件作为一种基于量子效应的新型器件，利用单个电子的隧穿和库仑阻塞效应来实现电子的操控，展现出了独特的优势。与传统半导体器件相比，单电子器件具有极低