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文档摘要

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合金形成鈍化層在低溫條件下(小於300℃)澱積氮化矽光刻鈍化版刻蝕氮化矽，形成鈍化圖形測試、封裝，完成積體電路的製造工藝CMOS積體電路一般採用(100)晶向的矽材料AA雙極積體電路

製造工藝離子注入離子注入：將具有很高能量的雜質離子射入半導體襯底中的摻雜技術，摻雜深度由注入雜質離子的能量和品質決定，摻雜濃度由注入雜質離子的數目(劑量)決定摻雜的均勻性好溫度低：小於600℃可以精確控制雜質分佈可以注入各種各樣的元素橫向擴展比擴散要小得多。可以對化合物半導體進行摻雜離子注入系統的原理示意圖離子注入到無定形靶中的高斯分佈情況退火退火：也